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消费
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适配器
以手机快充为例，今天，我们的手机变得越来越强大，同时也要求给手机充电的适配器往更大功率、更高功率密度方向发展。而GaN的高频、高效特性正好满足此要求。
与传统Si MOSFET相比，GaN具有以下优点:
1、低Qg/Ciss:开断速度快；开关速度快，减少开关损耗；
2、低Coss/ qss:开、关速度快，开关频率高，减少开关损耗；
3 、Qrr=0:无反向恢复损失(无体二极管)，降低开关噪声，更好的EMI性能；
4 、低 RDSON: 降低传导损耗。GaN的这些优点使得采用GaN的适配器尺寸更小、效率更高。Solution topology view
Main parameters of the schemeScheme 1：SMPS——33W QR Flyback 拓扑名称
QR Flyback 输入电压范围
90-264Vac 输出
3.3V~20V，11V/3A(max) 工作频率
120KHz@230Vac 变压器
ATQ1715，JPP95 效率
92.9% @230Vac & 20V/1.5A 尺寸
26*26*26mm（PCBA） 功率密度
30.8W/in3 应用产品
INN650DA04 控制方案
JW1515H+JW7726B Scheme 2：SMPS——65W QR Flyback 拓扑名称
QR flyback 输入电压范围
90-264Vac 输出
20V/3.25A 工作频率
135kHz @230Vac 变压器
ATQ23.7，JPP95 效率
94.1% @230Vac & 20V/3.25A 尺寸
48.7*27*26mm（PCBA） 功率密度
31W/in3（PCBA） 应用产品
INN650DA260A 控制方案
NCP1342+MP6908A Scheme 3：SMPS——120W PFC+ACF 拓扑名称 Boost PFC+ACF 输入电压范围 90-264Vac 输出 120W max 工作频率 230kHz @120W 变压器 ATQ23，NVM02 效率 94.5% @230Vac & 20V/6A 尺寸 46*46*26mm（PCBA） 功率密度 35.7W/in3（PCBA） 应用产品 INN650D150A+INN650D260A*2 控制方案 NCP1622+JW1550 -
无线充电
与传统硅技术相比，Innoscience的GaN技术具有寄生电容更小、开关速度更快、单位面积导通电阻更小等优点。 应用于无线充电系统时，Innoscience的GaN技术降低了开关损耗和导通损耗，从而使无线充电系统具有更高的系统效率和更长的传输距离。
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D类音频放大器
InnoGaNTM晶体管具有开关速度快、开关损耗低、寄生电容小等优点，是d类放大器的理想选择。 这带来了几个好处，其中包括:更好的音质，更少的发热，更高的效率，更小的电路板面积，从而减小音频系统体积，降低成本，延长便携式系统的电池寿命等。
由于D类放大器工作在开关模式下，晶体管的开关损耗成为影响系统性能的关键，这也是GaN技术常用于音频系统的d类放大器的原因。 首先，与传统的硅晶体管相比，InnoGaNTM晶体管显示:更快的开关速度，更低的开关损耗，更小的寄生电容(Coss)，更低的能量存储在输出电容(Eoss)，没有反向恢复损耗(Qrr=0，由于没有体二极管)。其次，更低的开关损耗可以增加脉宽调制(PWM)频率，从而降低输出低通滤波器的尺寸和损耗。此外，由于英诺赛科的GaN (InnoGaNTM)器件开关速度快，可以减少PWM的死区时间，有助于减小输出信号谐波，提升音质。
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过电压保护(OVP)
过电压保护(OVP)单元功能是当输入电压超过设定值时，通过关闭保护单元来保护主系统。 手机或笔记本电脑中每个单元的大小是至关重要的，InnoGaNTM晶体管使OVP单元比硅技术制造的要小50%。这是通过用一个InnoGaNTM双向晶体管替换两个MOSFET器件实现的。事实上，得益于氮化镓无体二极管的特性, InnoGaNTM可以实现双向关断。同时，与硅MOSFET相比，由于InnoGaNTM较低的导通电阻，降低了系统的整体损耗 ，产生的热量更少，因此可进一步提高了充电效率。
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Main parameters of the schemeBi-GaN Part Number INN40W08 Configuration Single VDD(Max)/V 40 ID( continous current , max)/A 15 RDD(on)(type)/mOhm 5.5 Package(mm) 2X2 -
飞行时间 (ToF)
基于飞行时间(ToF)的激光雷达系统的分辨率和测量距离由系统的激光驱动器决定。 与传统的硅技术相比， InnoGaNTM晶体管可以同时提供更高的电流(更长的测量距离)和更窄的脉冲宽度(更高的分辨率)。因此，如今在ToF应用中均使用GaN晶体管来驱动激光器。英诺赛科的氮化镓具有更小的面积、更低的成本和更高的性能，是ToF系统更好的选择。
Solution topology view.png)